MOSFETs

IPD90N03S4L02ATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Infineon Technologies AG

Product Technical Specifications

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  30

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±16

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  2.2

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  90

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  2.2@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  110@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  110

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  7500@25V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  136000

• Typische Abfallzeit (ns)

  13

• Typische Anstiegszeit (ns)

  9

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  62

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  14

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Verpackung

  Tape and Reel

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  1.8@10V|2.2@4.5V

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  2.3

• Verpackungsbreite

  6.22

• Verpackungslänge

  6.5

• Leiterplatte geändert

  2

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  DPAK

• Stiftanzahl

  3