Product Technical Specifications
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±25
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
8.7
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
10000
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
19@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
9.2@4.5V|19.6@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
19.6
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
3.9
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
4.3
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
3.3
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1204@15V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
112@15V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1
Typische Ausgangskapazität (pF)
154
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2000
Typische Abfallzeit (ns)
26
Typische Anstiegszeit (ns)
23
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
34
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5.3
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
15@10V|28@4.5V|34@4V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
2
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
50
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
175
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.7
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
4
Typische Sperrerholungszeit (ns)
10
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.2
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
25
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
8.7
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.57
Verpackungsbreite
2
Verpackungslänge
2
Leiterplatte geändert
6
Standard-Verpackungsname
DFN
Lieferantenverpackung
UDFN EP
Stiftanzahl
6
Leitungsform
No Lead
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