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LTC7893/LTC7892: 100V Niedriger IQ, Synchronisierte Boost-Controller für GaN-FETs

Kraft31 Juli 2025
Foto eines Elektrikers, der am Stromnetz arbeitet
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Die LTC7893/LTC7892 sind Hochleistungs-DC-DC-Schaltreglercontroller, die alle N-Kanal-synchronen Gallium-Nitrid- (GaN) Feldeffekttransistoren (FETs) in Leistungsstufen mit Ausgangsspannungen von bis zu 100 V ansteuern.
 
Die LTC7893/LTC7892 lösen viele der Herausforderungen, die traditionell bei der Verwendung von GaN-FETs auftreten. Sie vereinfachen das Design der Anwendungen, ohne dass Schutzdioden oder andere zusätzliche externe Komponenten im Vergleich zu einer Lösung mit Silizium-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) erforderlich sind.
 
Die internen intelligenten Bootstrap-Schalter verhindern eine Überladung der BOOSTx-Pins zu den SWx-Pins der High-Side-Treiber während der Totzeiten und schützen so das Gate des oberen GaN-FETs. Die Totzeiten der LTC7893/LTC7892 können optional mit externen Widerständen optimiert werden, um Sicherheitsmargen zu schaffen oder die Anwendung auf höhere Effizienz abzustimmen, was einen Betrieb mit hoher Frequenz ermöglicht.
 
Die Gate-Ansteuerspannung der LTC7893/LTC7892 kann präzise von 4 V bis 5,5 V angepasst werden, um die Leistung zu optimieren und die Verwendung verschiedener GaN-FETs oder sogar Logic-Level-MOSFETs zu ermöglichen. Wenn die Bausteine von der Boost-Wandler-Ausgangsspannung versorgt werden, können sie nach dem Start aus einer Versorgungsspannung von nur 1 V betrieben werden.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • GaN-Antriebstechnologie vollständig optimiert für GaN-FETs

  • Ausgangsspannung bis zu 100V

  • Breiter VIN-Bereich: 4 V bis 60 V und Betrieb bis hinunter zu 1 V nach dem Start

  • Keine Fang-, Klemm- oder Bootstrap-Dioden erforderlich

  • Interne Smart-Bootstrap-Schalter verhindern das Überladen der High-Side-Treiberversorgung

  • Widerstand Einstellbare Totzeiten

  • Getrennte Ausgangstreiber für einstellbare Einschalt- und Ausschalt-Treiberstärken

  • Präzise einstellbare Treiberspannung und UVLO

  • Niedriger Betriebs-IQ: 15 μA

  • Programmierbare Frequenz (100 kHz bis 3 MHz)

  • Synchronisierbare Frequenz (100 kHz bis 3 MHz)

  • Spreizspektrum-Frequenzmodulation

  • 28-Pin (4 mm × 5 mm), seitlich benetzbares QFN-Gehäuse (LTC7893)

  • 40-poliges (6 mm × 6 mm), seitlich benetzbares QFN-Gehäuse (LTC7892)

  • AEC-Q100-qualifiziert für Automobilanwendungen

Anwendungen

  • Automobil- und Industrie-Energiesysteme

  • Militärische Avionik und Medizinsysteme

  • Telekommunikations-Energiesysteme

Evaluierungsboard

Der LTC7893/LTC7892 kann mit dem EVAL-LTC7893-AZ und dem EVAL-LTC7892-BZ evaluiert werden.

Blockdiagramme und Tabellen

LTC7892 typical application circuit

LTC7892 pin configuration

LTC7892 typical application graph

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