Bringen Sie Schwung in Ihr Design mit Infineons OptiMOS™ 6 Familien

Infineon20 Aug. 2024

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Infineons führende Technologie, exzellente Leistung und verbesserte Energieeffizienz - für eine nachhaltige Zukunft!

Die OptiMOS™-Technologie von Infineon hat sich im Laufe der Jahre weiterentwickelt und hat nun die sechste Generation mit der OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFET-Serie erreicht. Diese fortschrittliche Technologie führt zu signifikanten Verbesserungen bei Schalt- und Leitungsverlusten sowie bei den Stromeigenschaften. Diese Verbesserungen führen zu niedrigeren Systemverlusten, erhöhter Leistungsdichte, verbesserten Board-Temperaturen und einer insgesamt höheren Systemzuverlässigkeit. Infolgedessen sind OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs die ideale Wahl für verschiedene Anwendungen wie Telekommunikation, Solar, SMPS und erneuerbare Energien. Aufgrund bemerkenswerter Verbesserungen beim Leitungswiderstand R_DS(on) und beim Qualitätsfaktor sind sie auch geeignet für batteriebetriebene Anwendungen, einschließlich Elektrowerkzeuge, langsame Fahrzeuge, Drohnen, Roboter und das Batteriemanagement. Um Ihre individuellen Designanforderungen zu erfüllen, bietet die Serie verschiedene Gehäuseoptionen an, darunter PQFN 3.3x3.3, SuperSO8, D²PAK 3-polig, D²PAK 7-polig, TO-Leadless, sTOLL, TOLT, TOLG und TO-220.

MOSFET-Serie	Wichtige Merkmale	Hauptanwendungen
OptiMOS™ 6 40 V	Ultra-niedrige Q_G Niedriges R_DS(on) Exponierte Pads Verfügbar in Logik- und Normal-Gate-Drive RoHS-konform	Batteriebetriebene Anwendungen Batteriebetriebene Werkzeuge Batteriemanagement Niederspannungsantriebe Elektrowerkzeuge
OptiMOS™ 6 100 V	Im Vergleich zur OptiMOS™ 5-Technologie: Bis zu ~18% niedrigeres R_DS(on) 30% verbessertes FOM_gund bis zu ~43% besseres FOM_gd Niedrigere und weichere Rückwärtserholungsladung (Q_rr) 175°C Verbindungs-Temperaturbewertung 130% verbesserte SOA Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform	Server Telekommunikation Solar Batteriemanagementsysteme
OptiMOS™ 6 120 V	Niedrigstes R_DS(on) in 120 V der Branche Beste Balance zwischen Schalt- und Leitungsverlusten für verschiedene Anwendungen Niedrigeres R_DS(on) und FOMs, wo 150 V nicht benötigt werden Breites Gehäuseangebot: SMD für FR4- und IMS-PCBs, Oberseitenkühlung und THD Industrielle Qualifikation und T_{j_max}= 175°C für überlegene Leistungsfähigkeit und Robustheit	Elektro- und Gartengeräte Adapter und Schnellladegeräte Solar Telekommunikation Leichte Elektrofahrzeuge
OptiMOS™ 6 135 V	Kosteneffiziente Lösung optimiert für Motorantriebe Im Vergleich zur OptiMOS™ 5-Technologie: Verbesserte Parallelfähigkeit durch bis zu ~50% geringere V_GS(th) Streuung Hohe Leistung mit bis zu ~46% niedrigerem R_DS(on) Bis zu ~70% niedrigere und weichere Rückwärtserholungsladung (Q_rr)	Gabelstapler eScooter Elektro- und Gartengeräte USV
OptiMOS™ 6 200 V	Im Vergleich zur vorherigen Technologie: 42% niedrigeres R_DS(on) 89% niedrigere Q_rr(typ) Mehr als 3-mal weichere Diode Verbesserte Kapazitätslinearität Verbesserte SOA Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform	E-Scooter Mikro-EVs E-Gabelstapler Gartengeräte Servoantriebe Server Telekommunikation Solar; ESS Industrielle SMPS Audio

Lesen Sie die neueste Application Note: Die neue OptiMOS™ 6 200 V Familie von MOSFETs - Die neueste Infineon-Trench-MOSFET-Technologie setzt den neuen Industriestandard

Infineons neueste Trench-MOSFET-Technologie, die von einem revolutionären Zelldesign profitiert, ist der brandneue OptiMOS™ 6 200 V. Er vereint die Vorteile eines außergewöhnlich niedrigen Durchlasswiderstands R_DS(on), einer geringen Diode-Rücklaufzeit und einer überlegenen Schaltleistung. Diese Merkmale machen den OptiMOS™ 6 200 V zur besten Wahl für Anwendungen mit niedriger Schaltfrequenz, wie z. B. Motorantriebe. Zunächst wird die Technologie kurz vorgestellt und ihre technischen Vorteile hervorgehoben. Anschließend wird in einer umfassenden experimentellen Bewertung der OptiMOS™ 6 200 V mit der vorherigen Generation der OptiMOS™ 3 200 V MOSFETs verglichen.

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