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Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
NRND
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Dual
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
2
Max. Drain-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±10
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
1.5
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
180@4.5V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
1.8@4.5V
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
110@10V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1000
Typische Abfallzeit (ns)
3
Typische Anstiegszeit (ns)
5
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
20
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.82(Max)
Verpackungsbreite
1.8(Max)
Verpackungslänge
2.1(Max)
Leiterplatte geändert
6
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
TUMT
Stiftanzahl
6
Bestellmenge