MOSFETs

TSM650P03CX RFG

Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Taiwan Semiconductor

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  P

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  30

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±12

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  0.9

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  4.1

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  65@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  8@4.5V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  810@15V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1560

• Typische Abfallzeit (ns)

  12.4

• Typische Anstiegszeit (ns)

  19.4

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  45.9

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  5.4

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.1(Max)

• Verpackungsbreite

  1.4(Max)

• Verpackungslänge

  3(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Standard-Verpackungsname

  SOT

• Lieferantenverpackung

  SOT-23

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Gull-wing

• Family/Series

  TSM650P03CX

• ALIAS

  TSM650P03CX

• ROHS Version

  2011/65/EU, 2015/863

• Quantity Packaging

  3000

• MSL

  1