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Fototransistoren

QSD123

No Phototransistor Chip Silicon 880nm 2-Pin T-1 3/4 Bag

onsemi
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    COMPONENTS
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Typ
    Chip
  • Fototransistortyp
    Phototransistor
  • Linsenformart
    Domed
  • Linsenfarbe
    Black Transparent
  • Material
    Silicon
  • Anzahl der Kanäle pro Chip
    1
  • Polarität
    NPN
  • Halbwertswinkel-Grad (°)
    12
  • Ansichtorientierung
    Top View
  • Spitzenwellenlänge (nm)
    880
  • Sperrfilter
    Visible Cut-off
  • Max. Anstiegszeit (ns)
    7000(Typ)
  • Max. Abfallzeit (ns)
    7000(Typ)
  • Max. Lichtstrom (uA)
    16000
  • Max. Kollektorstrom (mA)
    25
  • Max. Dunkelstrom (nA)
    100
  • Max. Emitter-Kollektorspannung (V)
    5
  • Max. Kollektor-Emitterspannung (V)
    30
  • Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)
    0.4
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    100
  • Herstellungstechnologie
    NPN Transistor
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -40
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    100
  • Verpackung
    Bag
  • Durchmesser
    6.1(Max)
  • Befestigung
    Through Hole
  • Verpackungshöhe
    8.77
  • Leiterplatte geändert
    2
  • Lieferantenverpackung
    T-1 3/4
  • Stiftanzahl
    2
  • Leitungsform
    Through Hole

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen