Fototransistoren

OP593B

No Phototransistor Chip Silicon 890nm 2-Pin TO-18 Bag

TT Electronics / Optek Technology

Produktspezifikationen

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8541.49.70.80

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Type

  Chip

• Type de phototransistor

  Phototransistor

• Type de forme d'objectif

  Domed

• Couleur d'objectif

  Blue

• Matériau

  Silicon

• Nombre de canaux par puce

  1

• Polarité

  NPN

• Orientation de visualisation

  Top View

• Crête de longueur d'onde (nm)

  890

• Courant collecteur maximal (mA)

  50

• Courant d'obscurité maximal (nA)

  100

• Tension maximale de collecteur émetteur (V)

  5

• Tension collecteur-émetteur maximale (V)

  30

• Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V)

  0.4

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  250

• Technologie de fabrication

  NPN Transistor

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -40

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  100

• Emballage

  Bag

• Diamètre

  5.59

• Installation

  Through Hole

• Hauteur du paquet

  6.35

• Carte électronique changée

  2

• Nom de lemballage standard

  TO

• Conditionnement du fournisseur

  TO-18

• Décompte de broches

  2

• Forme de sonde

  Through Hole