Bipolar Transistoren HF

JANTX2N2857

Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 300mW 4-Pin TO-72

Semicoa Semiconductors

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Not Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  COMPONENTS

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  NPN

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  30

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  15

• Max. Kollektor-Emitter-Spannungsbereich (V)

  <20

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.4@1mA@10mA

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  3

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1@1mA@10mA

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  0.04

• Max. DC-Kollektorstrombereich (A)

  0.001 to 0.06

• Max. Emitter-Reststrom (nA)

  10000

• Max. Kollektorsperrstrom (nA)

  1000

• Vorspannungsbedingungen im Betrieb

  6V/1.5mA

• Mindestgleichstromverstärkung

  30@3mA@1V

• Mindest-Gleichstromverstärkungsbereich

  30 to 50

• Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung

  550

• Max. Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse

  300

• Typische Ausgangskapazität (pF)

  1(Max)

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  300

• Typischer Leistungsgewinn (dB)

  21

• Max. Rauschmaß (dB)

  4.5

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -65

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  200

• Temperaturbereich Lieferant

  Military

• Durchmesser

  5.84(Max)

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  5.33(Max)

• Leiterplatte geändert

  4

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-72

• Stiftanzahl

  4