Der HF-BJT ist ein Bipolartransistor, der entwickelt wurde, um effektiv in Hochfrequenzen von mehreren Hundert MHz bis in den GHz-Bereich zu funktionieren.  Bei einem Standard-BJT würde es zu unerwünschten Leistungsverlusten bei der Übertragung kommen. Zudem würde er bei den gleichen Frequenzen schlechte Transistorfunktionen aufweisen.

HF-BJT-Komponenten werden sehr häufig in der Leistungsverstärkung eingesetzt.  Bei Hochfrequenzsignalen, wie HF, haben sie eine sehr gute lineare Reaktion, was bedeutet, dass die Proportionalität zwischen Eingangssignal und Ausgangssignal relativ stabil bleibt, solange die linearen Regionsbemessungen befolgt und beibehalten werden.  Sie können auch wie ein MOSFET als Schalttransistor, für den Betrieb außerhalb der linearen Region und innerhalb des Sättigungsmodus verwendet werden.  In diesem Fall muss das Signal in eine Impulsbreitenmodulation übersetzt und durch den BJT geleitet bzw. verstärkt werden, wo das Signal in das ursprüngliche Signal zurückgeändert wird.

HF-BJTs haben im Vergleich zu HF-MOSFETs einige höherwertigere Eigenschaften.  Sie behalten eine höhere Linearität in ihrer linearen Region bei und sind viel günstiger bei gleicher Funktionalität. Sie haben viel niedrigere Ausgangsimpedanzen und ein viel höheres Verstärkungspotenzial.