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MOSFETs

ISC028N03LF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R

Infineon Technologies AG
Datenblätter 

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Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant with Exemption
  • Part Status
    Active
  • SVHC
    Yes
  • SVHC überschreitet Schwellenwert
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Kategorie
    Power MOSFET
  • Konfiguration
    Single Quad Drain Triple Source
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    N
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    30
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    20
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -55 to 175
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    24
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    2.8@10V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    13@4.5V, 27@10V
  • Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
    27
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    1780@15V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    3000
  • Typische Abfallzeit (ns)
    6.8
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    5.8
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    12
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    13
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    175
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    1.2(Max)
  • Verpackungsbreite
    5.75
  • Verpackungslänge
    4.9
  • Leiterplatte geändert
    8
  • Lieferantenverpackung
    TDSON EP
  • Stiftanzahl
    8
Bestellmenge

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen