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Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
Yes
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
20
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
26
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
2.05@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
107@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
107
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
7300@50V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3000
Typische Abfallzeit (ns)
7
Typische Anstiegszeit (ns)
6
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
28
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
15
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.7(Max)
Verpackungsbreite
6
Verpackungslänge
5
Leiterplatte geändert
8
Lieferantenverpackung
WHSON EP
Stiftanzahl
8
Bestellmenge