IGBT-Module

FF150R12KT3GHOSA1

Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray

Infineon Technologies AG

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  NRND

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kanalart

  N

• Konfiguration

  Dual

• Typische Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1.7

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  1200

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  780

• Max. Gate-Emitter-Spannung (V)

  ±20

• Max. Kollektordauerstrom (A)

  225

• Max. Gate-Emitter-Leckstrom (uA)

  0.4

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  125

• Verpackung

  Tray

• Befestigung

  Screw

• Verpackungshöhe

  29

• Verpackungsbreite

  61.4

• Verpackungslänge

  106.4

• Leiterplatte geändert

  7

• Lieferantenverpackung

  62MM-1

• Stiftanzahl

  7