Ein IGBT(insulated-gate bipolar transistor)-Module besteht aus einem oder mehreren IGBT-Geräten..  IGBTs werden geschätzt für ihre Effektivität in der Leistungselektronik und ihre hohen Schaltfrequenzen.  Diese Module können oft so ausgelegt werden, dass sie Hunderte Ampere und Volt von über 1000 handhaben können, was eine extreme Hochleistungskapazität ist.  Es ist mehr als ein Transistor erforderlich, um diese Hochleistung zu erreichen, und die Module sind eine Kombination daraus und aus einer anderen Schaltung.

IGBT-Geräte sind eine Art Verbindung aus den beiden wesentlichen Transistortechnologien: Feldeffekttransistoren und Bipolartransistoren.  Sie verfügen über ein isoliertes Gate, wie es bei einem FET zu finden ist, die restliche Transistorstruktur ähnelt jedoch einem Bipolartransistor, mit einem Emitter und Kollektor für den Hauptstromfluss durch das Gerät.  Auf diese Weise werden die Vorteile beider Technologien genutzt: eine hohe Stromstärkenkapazität wie ein Bipolartransistor und die hohe Eingangsimpedanz und andere positive Gate-Merkmale.

Da sie als Schaltgeräte verwendet werden, sind sie häufig in Verstärkern vorhanden, die eine Impulsbreiten-Modulation und Filter zum Entfernen von hohen Frequenzen verwenden.  Dazu zählen Hochleistungs-Stereoverstärker und allgemeine Spannungsversorgungen.