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Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Dual Dual Drain
Prozesstechnologie
0.35um to 2um
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
2
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
7
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
23@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
9.2@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
9.2
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
2
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
1.5
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
475@15V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
65@15V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1.2
Typische Ausgangskapazität (pF)
100
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1600
Typische Abfallzeit (ns)
21
Typische Anstiegszeit (ns)
9
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
42
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
19@10V, 24@4.5V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
30
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
135
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.9
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
3
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.25
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.7
Max. Gate-Widerstand (Ohm)
1.6
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
7
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.5(Max)
Verpackungsbreite
3.9
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
SOIC
Stiftanzahl
8
Leitungsform
Gull-wing
Family/Series
FDS8984
ROHS Version
2011/65/EU, 2015/863
Quantity Packaging
2500
MSL
1
Bestellmenge

