MOSFETs

FDS6680A

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R

onsemi

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  COMPONENTS

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Quad Drain Triple Source

• Prozesstechnologie

  0.35um to 2um

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  30

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  3

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 150

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  12.5

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  9.5@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  16@5V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  16

• Typische Gate-Drain-Ladung (nC)

  5.8

• Typische Gate-Source-Ladung (nC)

  5

• Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)

  18

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  1620@15V

• Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)

  160@15V

• Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)

  1

• Typische Ausgangskapazität (pF)

  380

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  2500

• Typische Abfallzeit (ns)

  15

• Typische Anstiegszeit (ns)

  5

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  27

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  10

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  7.8@10V, 9.9@4.5V

• Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)

  2.5

• Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)

  50

• Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)

  125

• Typische Dioden-Durchlassspannung (V)

  0.73

• Typische Gate-Plateau-Spannung (V)

  3.2

• Typische Sperrerholungszeit (ns)

  28

• Max. Dioden-Durchlassspannung (V)

  1.2

• Typische Gate-Schwellwertspannung (V)

  2

• Max. positive Gate-Source-Spannung (V)

  20

• Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)

  12.5

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.5(Max)

• Verpackungsbreite

  3.9

• Verpackungslänge

  4.9

• Leiterplatte geändert

  8

• Standard-Verpackungsname

  SO

• Lieferantenverpackung

  SOIC

• Stiftanzahl

  8

• Leitungsform

  Gull-wing