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Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Prozesstechnologie
0.18um to 2um
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±8
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
1.6
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
115@4.5V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
4.4@4.5V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
4.4
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
0.7
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
1.1
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
451@10V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
33@10V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
0.4
Typische Ausgangskapazität (pF)
75
Max. Leistungsaufnahme (mW)
500
Typische Abfallzeit (ns)
6.5
Typische Anstiegszeit (ns)
11
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
16
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
10
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
88@4.5V, 117@2.5V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
0.5
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
5
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
270
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.7
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
1.6
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.2
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
0.8
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
8
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.94
Verpackungsbreite
1.4
Verpackungslänge
2.92
Leiterplatte geändert
3
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
SOT-23
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing
Bestellmenge