MOSFETs

FDMS86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R

onsemi

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single Quad Drain Triple Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  100

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  7

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  25@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  7.8@4.5V, 16@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  16

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  979@50V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  2500

• Typische Abfallzeit (ns)

  2.5

• Typische Anstiegszeit (ns)

  2.6

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  19

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  6.7

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.05(Max)

• Verpackungsbreite

  5.8

• Verpackungslänge

  4.9

• Leiterplatte geändert

  8

• Standard-Verpackungsname

  QFN

• Lieferantenverpackung

  PQFN EP

• Stiftanzahl

  8

• Leitungsform

  No Lead

• Family/Series

  FDMS86102LZ

• ROHS Version

  2011/65/EU, 2015/863

• Quantity Packaging

  3000

• MSL

  1