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Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain
Prozesstechnologie
0.35um to 2um
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
40
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
10
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
14@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
6.4@4.5V, 14@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
14
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
901@20V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2400
Typische Abfallzeit (ns)
1.8
Typische Anstiegszeit (ns)
1.8
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
17
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
6.4
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.75(Max)
Verpackungsbreite
2
Verpackungslänge
2
Leiterplatte geändert
6
Standard-Verpackungsname
DFN
Lieferantenverpackung
WDFN EP
Stiftanzahl
6
Leitungsform
No Lead
Bestellmenge