MOSFETs

FDC855N

Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R

onsemi

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  8541.29.00.95

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Quad Drain

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  30

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  6.1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  27@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  9.2@10V, 4.9@5V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  9.2

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  493@15V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1600

• Typische Abfallzeit (ns)

  2

• Typische Anstiegszeit (ns)

  2

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  14

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  6

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.85

• Verpackungsbreite

  1.5

• Verpackungslänge

  2.95

• Leiterplatte geändert

  6

• Standard-Verpackungsname

  SOT

• Lieferantenverpackung

  TSOT-23

• Stiftanzahl

  6

• Leitungsform

  Gull-wing