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Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.21.00.40
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Quad Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Source-Spannung (V)
-6
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1.05
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
4
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
26@4.5V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
5.8@4.5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
0.8
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
1.1
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
19
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
778@10V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
21@10V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
0.45
Typische Ausgangskapazität (pF)
400
Max. Leistungsaufnahme (mW)
500
Typische Abfallzeit (ns)
28
Typische Anstiegszeit (ns)
12
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
64
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
15
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
21@4.5V, 26@2.5V, 40@1.8V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
38
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
220(Typ)
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.75
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
1.4
Typische Sperrerholungszeit (ns)
26
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
0.75
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
6
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.28(Max)
Verpackungsbreite
1.5
Verpackungslänge
1.5
Leiterplatte geändert
9
Standard-Verpackungsname
BGA
Lieferantenverpackung
DSBGA
Stiftanzahl
9
Leitungsform
Ball
Family/Series
CSD25202W15
ROHS Version
2011/65/EU, 2015/863
Quantity Packaging
3000
MSL
1
Bestellmenge