Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1.7
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
60
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
3.8@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
41@10V, 20@4.5V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
41
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
4
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
2800@15V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2800
Typische Abfallzeit (ns)
10
Typische Anstiegszeit (ns)
23
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
23
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
12
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.3
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.85(Max)
Verpackungsbreite
3.1(Max)
Verpackungslänge
3.25(Max)
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SON
Lieferantenverpackung
VSONP EP
Stiftanzahl
8
Family/Series
CSD17581Q3A
ROHS Version
2011/65/EU, 2015/863
Quantity Packaging
2500
MSL
1
Bestellmenge