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Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Prozesstechnologie
NexFET
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
25
Max. Gate-Source-Spannung (V)
16
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.3
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
16
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
8.5@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
3.9@4.5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
1.1
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
1.8
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
14
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
570@12.5V
Typische Ausgangskapazität (pF)
460
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3000
Typische Abfallzeit (ns)
3.6
Typische Anstiegszeit (ns)
10.7
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
6.5
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
6.2
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
6.8@10V, 9.6@4.5V
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.9
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1
Verpackungsbreite
5.75
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SON
Lieferantenverpackung
VSONP EP
Stiftanzahl
8
Bestellmenge