PSRAM (Psuedostatic DRAM), auch als CellularRAM bezeichnet, ist eine weniger leistungsstarke Familie an Speichergeräten, die für Mobiltelefone vorgesehen ist. PSRAM bietet SRAM- und FLASH-Schnittstellen. In der Zeit vor dem Smartphone bis Mitte der 2000er Jahre sollte PSRAM SRAM ersetzen, weil der Cache pro Bit billiger wurde und es eine gepufferte Speicherlösung unterstützte. PSRAM-Teile gibt es von mehreren Megabit (Mb) bis zu mehreren Hundert Mb. Die Höchstgeschwindigkeit von PSRAM im synchronen Schnittstellenmodus beträgt 133 MHz.

 

Im Wesentlichen hüllt PSRAM die DRAM-Zellen in eine SRAM- oder Flash-Schnittstelle ein. DRAM-Zellen sind physisch kleiner als SRAM-Zellen, deshalb ist ihre Herstellung kostengünstiger. DRAM-Zellen benötigen jedoch einen gewissen Zusatzaufwand, um die ordnungsgemäß Datenspeicherung zu gewährleisten, die dem Benutzer verborgen bleibt, und die vom PSRAM selbst verwaltet wird. Das PSRAM kann im einfachen asynchronen SRAM-Schnittstellenmodus arbeiten. Außerdem kann es so konfiguriert werden, dass es die NOR Flash-Burst-Schnittstelle unterstützt. PSRAM wurde sogar darauf ausgelegt, uneingeschränkt kompatibel mit SRAM-Geräten zu sein

 

Die Initiative, PSRAM zu erstellen, wurde von Unternehmen wie Cypress Semiconductor Corporation, Micron Technology, Qimonda, Renesas Technology Corporation, Etron Technologies und Hynix Semiconductor angeführt. Die Arbeitsgruppe ist seit 2009 größtenteils inaktiv.