MOSFETs

NTBG015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

onsemi

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  SiC

• Konfiguration

  Single Hex Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  650

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  22

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  145

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  15.34(Typ)@18V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  283@18V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  283

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  5516@325V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  500000

• Typische Abfallzeit (ns)

  13.48

• Typische Anstiegszeit (ns)

  14.32

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  69.3

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  48.65

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  4.5

• Verpackungsbreite

  9.2

• Verpackungslänge

  9.9

• Leiterplatte geändert

  7

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  D2PAK

• Stiftanzahl

  8

• Family/Series

  NTBG015N065SC1

• ROHS Version

  2011/65/EU, 2015/863

• MSL

  1