射频 MOSFETs

BLF642,112

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin LDMOST Bulk

Ampleon

产品技术规范

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active-Unconfirmed

• Code HTS

  8541.29.00.75

• Automotive

  Unknown

• PPAP

  Unknown

• Configuration

  Single

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Mode de fonctionnement

  2-Tone Class-AB|CW Class-AB

• Technologie de traitement

  0.14um

• Tension drain-source maximale (V)

  65

• Tension minimale de source barrière (V)

  11

• VSWR maximal

  10

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  300(Typ)@6.15V

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  39@32V

• Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)

  0.84@32V

• Capacitance type de sortie @ Vds (pF)

  15@32V

• Transconductance avant typique (S)

  3.3

• Puissance de sortie (W)

  35(Typ)

• Gain de puissance type (dB)

  19

• Fréquence maximale (MHz)

  1400

• Fréquence minimale (MHz)

  1

• Efficacité de drainage type (%)

  63

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -65

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  200

• Emballage

  Bulk

• Installation

  Screw

• Hauteur du paquet

  4.67(Max)

• Largeur du paquet

  5.97(Max)

• Longueur du paquet

  20.45(Max)

• Carte électronique changée

  3

• Conditionnement du fournisseur

  LDMOST

• Décompte de broches

  3