射频 MOSFETs 是一种设计用于在高频下使用的金属氧化物半导体场效应管，适用频率一般为 100MHz 到 GHz 的范围。通常，为了在高频下工作，晶体管必须保持在线性区域中，这说明其在漏极和源极触点之前的工作方式类似于电阻器。如果设备达到饱和，运行速度将降低。

射频 MOSFETs 大部分时间工作在功率放大模式下、在线性模式工作中，输入信号一般不需要在很大程度上修改。这说明要放大的输入信号按照与自身成比例的方式调节了 MOSFETs 漏极到源极的输出电流承载能力。

如果射频 MOSFETs 被用作开关设备，那么必须使用脉冲宽度调制技术来将通过 MOSFETs 的信号转换为输出。由于晶体管的通断开关模式无法直接传输交流或正交信号，输入信号中的数据必须被转换为脉冲宽度数据，通过 MOSFETs 放大器发送，然后再重新转换为更强的交流信号。