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연산 증폭기 - 연산 증폭기

TLE2082CDR

Op Amp Dual Wideband Amplifier ±19V 8-Pin SOIC T/R

Texas Instruments

제품 기술 사양
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    8542.33.00.01
  • SVHC
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Typ
    Wideband Amplifier
  • Herstellerart
    Wideband Amplifier
  • Anzahl der Kanäle pro Chip
    2
  • Max. Eingangs-Offsetspannung (mV)
    6@±5V
  • Mindest-Doppelversorgungsspannung (V)
    ±2.25
  • Typische Doppelversorgungsspannung (V)
    ±3|±5|±9|±12|±15|±18
  • Max. Doppelversorgungsspannung (V)
    ±19
  • Max. Eingangs-Offsetstrom (uA)
    0.1@±5V
  • Max. Eingangs-Bias-Strom (uA)
    0.175@±5V
  • Max. Ruhestrom (mA)
    2.8@±5V
  • Typischer Ausgangsstrom (mA)
    80(Max)
  • Spannungsversorgungsart
    Dual
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    725
  • Typische Anstiegsgeschwindigkeit (V/us)
    32@±5V
  • Typische Eingangsrauschen-Spannungsdichte (nV/rtHz)
    28@±5V
  • Typischer Spannungsgewinn (dB)
    106
  • Typische Stromrauschdichte des nicht invertierenden Eingangs (pA/rtHz)
    0.06@±5V
  • Mindest-Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) (dB)
    85(Typ)
  • Mindest-Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) (dB)
    85 to 90
  • Typisches Gewinnbandbreiten-Produkt (MHz)
    10.6
  • Typische Einschwingzeit (ns)
    400
  • Abschaltunterstützung
    No
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    0
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    70
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    1.5(Max)
  • Verpackungsbreite
    3.9
  • Verpackungslänge
    4.91
  • Leiterplatte geändert
    8
  • Standard-Verpackungsname
    SO
  • Lieferantenverpackung
    SOIC
  • Stiftanzahl
    8
  • Leitungsform
    Gull-wing

문서 및 자료

데이터시트
디자인 리소스