제품 기술 사양
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Matériau
Si
Configuration
Single
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
800
Tension minimale de source barrière (V)
±20
Tension seuil de barrière maximale (V)
4
Courant de drain continu maximal (A)
17
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
1000
IDSS maximal (uA)
10
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
290@10V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
32@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
32
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
2050@300V
Dissipation de puissance maximale (mW)
180000
Temps de descente type (ns)
7
Temps de montée type (ns)
24
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
150
Emballage
Tube
Installation
Through Hole
Hauteur du paquet
8.59
Largeur du paquet
4.45
Longueur du paquet
10.16
Carte électronique changée
3
Onglet
Tab
Nom de lemballage standard
TO
Conditionnement du fournisseur
TO-220
Décompte de broches
3
주문 수량