MOSFET

STL135N8F7AG

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101

STMicroelectronics

제품 기술 사양

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant with Exemption

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  COMPONENTS

• SVHC

  Yes

• Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Catégorie

  Power MOSFET

• Configuration

  Single Quad Drain Triple Source

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  80

• Tension minimale de source barrière (V)

  ±20

• Tension seuil de barrière maximale (V)

  4.5

• Courant de drain continu maximal (A)

  120

• Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)

  100

• IDSS maximal (uA)

  1

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  3.6@10V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  103@10V

• Charge de barrière type @ 10V (nC)

  103

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  6800@40V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  135000

• Temps de descente type (ns)

  30

• Temps de montée type (ns)

  28

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  73

• Délai type de mise en marche (ns)

  30

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  175

• Échelle de température du fournisseur

  Automotive

• Emballage

  Tape and Reel

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  0.95(Max)

• Largeur du paquet

  6

• Longueur du paquet

  5

• Carte électronique changée

  8

• Conditionnement du fournisseur

  Power Flat EP

• Décompte de broches

  8

• Forme de sonde

  No Lead