MOSFET

STH315N10F7-6

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101

STMicroelectronics

제품 기술 사양

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Hex Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  100

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  4.5

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  180

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  2.3@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  180@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  180

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  12800@25V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  315000

• Typische Abfallzeit (ns)

  40

• Typische Anstiegszeit (ns)

  108

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  148

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  62

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Temperaturbereich Lieferant

  Automotive

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  4.7(Max)

• Verpackungsbreite

  8.9(Max)

• Verpackungslänge

  10.4(Max)

• Leiterplatte geändert

  6

• Tab

  Tab

• Lieferantenverpackung

  H2PAK

• Stiftanzahl

  7

• Leitungsform

  Gull-wing