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MOSFET

STH240N10F7-2

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R

STMicroelectronics
데이터시트 

제품 기술 사양
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    100
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    4.5
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -55 to 175
  • Courant de drain continu maximal (A)
    180
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    100
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    2.5@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    160@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    160
  • Barrière type pour drainer la charge (nC)
    38
  • Barrière type à la source de la charge (nC)
    48
  • Charge de récupération inverse type (nC)
    315
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    11550@25V
  • Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)
    217@25V
  • Tension seuil de barrière minimale (V)
    2.5
  • Capacitance type de sortie (pF)
    2950
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    300000
  • Temps de descente type (ns)
    112
  • Temps de montée type (ns)
    139
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    110
  • Délai type de mise en marche (ns)
    49
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    175
  • Échelle de température du fournisseur
    Industrial
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
    2@10V
  • Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)
    720
  • Tension de plateau de barrière type (V)
    4.5
  • Temps inverse de recouvrement type (ns)
    108
  • Tension maximale directe de diode (V)
    1.2
  • Tension maximale de source barrière positive (V)
    20
  • Courant maximal de drainage continu sur PCB @ TC=25°C (A)
    180
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    4.7(Max)
  • Largeur du paquet
    9.17(Max)
  • Longueur du paquet
    10.4(Max)
  • Carte électronique changée
    2
  • Onglet
    Tab
  • Conditionnement du fournisseur
    H2PAK
  • Décompte de broches
    3

문서 및 자료

데이터시트
디자인 리소스