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RoHS (Union Europรฉenne)
Compliant with Exemption
ECCN (รtats-Unis)
EAR99
Statut de piรจce
Active
Code HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
Taux de SVHC dรฉpassant le seuil autorisรฉ
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Catรฉgorie
Power MOSFET
Configuration
Single
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'รฉlรฉments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
800
Tension minimale de source barriรจre (V)
ยฑ30
Tension seuil de barriรจre maximale (V)
4.5
Operating Junction Temperature (ยฐC)
-55 to 150
Courant de drain continu maximal (A)
2.5
Courant de fuite maximal de source de barriรจre (nA)
10000
IDSS maximal (uA)
1
Rรฉsistance maximale de source de drainage (mOhm)
4500@10V
Charge de barriรจre type @ Vgs (nC)
19@10V
Charge de barriรจre type @ 10V (nC)
19
Barriรจre type pour drainer la charge (nC)
10.8
Barriรจre type ร la source de la charge (nC)
3.2
Charge de rรฉcupรฉration inverse type (nC)
1600
Capacitance d'entrรฉe type @ Vds (pF)
485@25V
Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)
11@25V
Tension seuil de barriรจre minimale (V)
3
Capacitance type de sortie (pF)
57
Dissipation de puissance maximale (mW)
70000
Temps de descente type (ns)
40
Temps de montรฉe type (ns)
27
Dรฉlai type de mise ร l'arrรชt (ns)
36
Dรฉlai type de mise en marche (ns)
17
Tempรฉrature de fonctionnement minimale (ยฐC)
-55
Tempรฉrature de fonctionnement maximale (ยฐC)
150
Emballage
Tape and Reel
Tension maximale de source barriรจre positive (V)
30
Courant maximal de drainage pulsรฉ @ TC=25ยฐC (A)
10
Temps inverse de recouvrement type (ns)
384
Tension maximale directe de diode (V)
1.6
Tension seuil de barriรจre type (V)
3.75
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
2.4(Max)
Largeur du paquet
6.2(Max)
Longueur du paquet
6.6(Max)
Carte รฉlectronique changรฉe
2
Onglet
Tab
Nom de lemballage standard
TO
Conditionnement du fournisseur
DPAK
Dรฉcompte de broches
3
Forme de sonde
Gull-wing

