MOSFET

SIR124DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Vishay

제품 기술 사양

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Quad Drain Triple Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  80

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  16.1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  8.4@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  19.6@7.5V|26@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  26

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  1666@40V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  5000

• Typische Abfallzeit (ns)

  6|7

• Typische Anstiegszeit (ns)

  6|7

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  19|18

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  12|14

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.07(Max)

• Verpackungsbreite

  5.89

• Verpackungslänge

  4.9

• Leiterplatte geändert

  8

• Standard-Verpackungsname

  SO

• Lieferantenverpackung

  PowerPAK SO EP

• Stiftanzahl

  8