플래시

S29GL512S10GHI010

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 56-Pin Fortified BGA Tray

Infineon Technologies AG

제품 기술 사양

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8542.32.00.51

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Type de cellule

  NOR

• Densité (bit)

  512M

• Architecture

  Sectored

• Bloc d'amorce

  Yes

• Organisation de bloc

  Symmetrical

• Emplacement de l'amorce de cellule

  Top|Bottom

• Largeur de Bus d'adresse (bit)

  25

• Taille de secteur

  128Kbyte x 512

• Taille de page

  32byte

• Nombre de bits par mot (bit)

  16

• Nombre de mots

  32M

• Programmabilité

  Yes

• Type de minutage

  Asynchronous

• Temps maximal d'accès (ns)

  100

• Temps d'effacement maximal (s)

  1.1/Sector

• Temps maximal d'accès à la page (ns)

  15

• Temps de programmation maximal (ms)

  192/Sector

• Temps d'accès OE (ns)

  35

• Technologie de traitement

  65nm

• Type d'interface

  Parallel

• Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V)

  2.7

• Tension d’alimentation type en fonctionnement (V)

  3|3.3

• Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V)

  3.6

• Tension de programmation (V)

  2.7 to 3.6

• Courant de fonctionnement maximal (mA)

  60

• Courant de lecture de page (mA)

  25

• Courant de programme (mA)

  100

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -40

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  85

• Échelle de température du fournisseur

  Industrial

• Commande compatible

  Yes

• Support ECC

  Yes

• Mode de support de page

  Yes

• Endurance minimale (Cycles)

  100000

• Emballage

  Tray

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  1(Max) - 0.17(Min)

• Largeur du paquet

  7

• Longueur du paquet

  9

• Carte électronique changée

  56

• Nom de lemballage standard

  BGA

• Conditionnement du fournisseur

  Fortified BGA

• Décompte de broches

  56

• Forme de sonde

  Ball