MOSFET

MSCSM120HM50CT3AG

SiC MOSFET Power Module

Microchip Technology
데이터시트 

제품 기술 사양
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    EA
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Material
    SiC
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    1200
  • Typische Abfallzeit (ns)
    25
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    30
  • Befestigung
    Screw
  • Verpackungshöhe
    12
  • Verpackungsbreite
    42.5
  • Verpackungslänge
    73.4
  • Leiterplatte geändert
    25
  • Stiftanzahl
    25

문서 및 자료

데이터시트
디자인 리소스