GP BJT

JANTXV2N2222AUB

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB

Semicoa Semiconductors

제품 기술 사양

• RoHS (Union Européenne)

  Not Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8541.21.00.95

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Type

  NPN

• Catégorie

  Bipolar Power

• Matériau

  Si

• Tension de base maximale du collecteur (V)

  75

• Tension collecteur-émetteur maximale (V)

  50

• Tension de base maximale de l'émetteur (V)

  6

• Tension de saturation maximal d'émetteur de base (V)

  1.2@15mA@150mA|2@50mA@500mA

• Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V)

  0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA

• Courant collecteur CC maximal (A)

  0.8

• Gain de courant CC minimal

  50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|30@500mA@10V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  500

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -65

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  200

• Échelle de température du fournisseur

  Military

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  1.42(Max) mm

• Largeur du paquet

  2.74(Max) mm

• Longueur du paquet

  3.25(Max) mm

• Carte électronique changée

  4

• Conditionnement du fournisseur

  Case UB

• Décompte de broches

  4