MOSFET

IRFR2905ZTRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Infineon Technologies AG

제품 기술 사양

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  LTB

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  55

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  4

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  59

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  14.5@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  29@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  29

• Typische Gate-Drain-Ladung (nC)

  12

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  1380@25V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  110000

• Typische Abfallzeit (ns)

  35

• Typische Anstiegszeit (ns)

  66

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  31

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  14

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Verpackung

  Tape and Reel

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  11.1@10V

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  2.39(Max)

• Verpackungsbreite

  6.22(Max)

• Verpackungslänge

  6.73(Max)

• Leiterplatte geändert

  2

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  DPAK

• Stiftanzahl

  3