제품 기술 사양
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.25
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
13
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
10@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
9.5@4.5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
3
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1210@15V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2500
Typische Abfallzeit (ns)
3.8
Typische Anstiegszeit (ns)
6.3
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
11
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
8.7
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.5(Max)
Verpackungsbreite
4(Max)
Verpackungslänge
5(Max)
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
SOIC
Stiftanzahl
8
Leitungsform
Gull-wing