제품 기술 사양
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
14
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
25
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
160@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
26(Max)@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
26(Max)
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
11(Max)
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
5.5(Max)
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
850
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
670@25V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
60@25V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
2
Typische Ausgangskapazität (pF)
250
Max. Leistungsaufnahme (mW)
88000
Typische Abfallzeit (ns)
24
Typische Anstiegszeit (ns)
34
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
23
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
10
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
56
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
6.5
Typische Sperrerholungszeit (ns)
150
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
2.5
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
8.59
Verpackungsbreite
4.45
Verpackungslänge
10.16
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-220AB
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole