MOSFET

IPN95R3K7P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Infineon Technologies AG

제품 기술 사양

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8542.39.00.90

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  950

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  3.5

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 150

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  2

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  3700@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  6@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  6

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  196@400V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  6000

• Typische Abfallzeit (ns)

  40

• Typische Anstiegszeit (ns)

  23

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  46

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  7

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  3110@10V

• Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)

  5

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.6

• Verpackungsbreite

  3.5

• Verpackungslänge

  6.5

• Leiterplatte geändert

  2

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  SOT

• Lieferantenverpackung

  SOT-223

• Stiftanzahl

  3