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MOSFET

IPI90N04S402AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube Automotive AEC-Q101

Infineon Technologies AG
데이터시트 

제품 기술 사양
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    LTB
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    Yes
  • PPAP
    Unknown
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    40
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    4
  • Courant de drain continu maximal (A)
    90
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    100
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    2.5@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    91@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    91
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    7250@25V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    150000
  • Temps de descente type (ns)
    26
  • Temps de montée type (ns)
    13
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    27
  • Délai type de mise en marche (ns)
    23
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    175
  • Échelle de température du fournisseur
    Automotive
  • Emballage
    Tube
  • Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
    1.9@10V|2.3@10V
  • Installation
    Through Hole
  • Hauteur du paquet
    9.25
  • Largeur du paquet
    4.4
  • Longueur du paquet
    10
  • Carte électronique changée
    3
  • Onglet
    Tab
  • Nom de lemballage standard
    TO
  • Conditionnement du fournisseur
    TO-262
  • Décompte de broches
    3
  • Forme de sonde
    Through Hole
주문 수량

문서 및 자료

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