IPD80R3K3P7ATMA1|INFINEON|simage
IPD80R3K3P7ATMA1|INFINEON|limage
MOSFET

IPD80R3K3P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Infineon Technologies AG
데이터시트 

제품 기술 사양
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    COMPONENTS
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    800
  • Tension minimale de source barrière (V)
    20
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    3.5
  • Courant de drain continu maximal (A)
    1.9
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    1000
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    3300@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    5.8@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    5.8
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    120@500V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    18000
  • Temps de descente type (ns)
    40
  • Temps de montée type (ns)
    10
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    40
  • Délai type de mise en marche (ns)
    12
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
    2800@10V
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    2.41(Max)
  • Largeur du paquet
    6.22(Max)
  • Longueur du paquet
    6.73(Max)
  • Carte électronique changée
    2
  • Onglet
    Tab
  • Nom de lemballage standard
    TO
  • Conditionnement du fournisseur
    DPAK
  • Décompte de broches
    3

문서 및 자료

데이터시트
디자인 리소스