MOSFET

IPD40DP06NMATMA1

Trans MOSFET P-CH 60V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Infineon Technologies AG

제품 기술 사양

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  8541.29.00.95

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  P

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  60

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  20

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  4.3

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  400@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  6.7@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  6.7

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  260@30V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  19000

• Typische Abfallzeit (ns)

  4

• Typische Anstiegszeit (ns)

  6

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  10

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  4

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  2.3

• Verpackungsbreite

  6.22

• Verpackungslänge

  6.5

• Leiterplatte geändert

  2

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  DPAK

• Stiftanzahl

  3