제품 기술 사양
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
Yes
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
150
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
100
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
7.2@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
70@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
70
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
11
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
30
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
478
Typische Schaltladung (nC)
25
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
5470@75V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
10@75V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
2
Typische Ausgangskapazität (pF)
638
Max. Leistungsaufnahme (mW)
300000
Typische Abfallzeit (ns)
14
Typische Anstiegszeit (ns)
35
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
46
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
25
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
5.8@10V|6@8V|6.2@10V|6.4@8V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
400
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
1
Typische Sperrerholungszeit (ns)
146
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.2
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
3
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
4.57(Max)
Verpackungsbreite
9.45(Max)
Verpackungslänge
10.31(Max)
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
D2PAK
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing
주문 수량