MOSFET

IAUCN08S7N024TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 186A T/R Automotive AEC-Q101

Infineon Technologies AG

제품 기술 사양

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Quint Drain Quad Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  80

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 175

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  186

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  2.44@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  54@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  54

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  3730@40V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  157000

• Typische Abfallzeit (ns)

  16

• Typische Anstiegszeit (ns)

  16

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  21

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  12

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Temperaturbereich Lieferant

  Automotive