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GP BJT

HN1B04FU-Y,LF

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101

Toshiba
데이터시트 

제품 기술 사양
  • 유럽 연합 RoHS 명령어
    Compliant
  • 미국수출통제분류ECCN 인코딩
    EAR99
  • 친환경 무연
    Active
  • 미국 세관 상품 코드
    8541.21.00.75
  • Automotive
    Yes
  • PPAP
    Unknown
  • Type
    NPN|PNP
  • Category
    Bipolar Small Signal
  • Material
    Si
  • Configuration
    Dual
  • Number of Elements per Chip
    2
  • Maximum Collector-Base Voltage (V)
    60@NPN|50@PNP
  • Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
    50
  • Maximum Base-Emitter Voltage (V)
    5
  • Operating Junction Temperature (°C)
    150
  • Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
    0.25@10mA@100mA@NPN|0.3@10mA@100mA@PNP
  • Maximum DC Collector Current (A)
    0.15
  • Minimum DC Current Gain
    120@2mA@6V
  • Maximum Power Dissipation (mW)
    200
  • Minimum Operating Temperature (°C)
    -55
  • Maximum Operating Temperature (°C)
    150
  • Packaging
    Tape and Reel
  • Mounting
    Surface Mount
  • Package Height
    0.9 mm
  • Package Width
    1.25 mm
  • Package Length
    2 mm
  • PCB changed
    6
  • Supplier Package
    US
  • Pin Count
    6

문서 및 자료

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