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제품 기술 사양
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Prozesstechnologie
0.6um
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±12
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
0.9
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
220@4.5V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
1.1@4.5V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
1.1
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
0.26
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
0.26
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
2.2
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
109@10V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
14@10V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
0.6
Typische Ausgangskapazität (pF)
30
Max. Leistungsaufnahme (mW)
350
Typische Abfallzeit (ns)
1.4
Typische Anstiegszeit (ns)
7
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
8
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
4.5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
164@4.5V, 235@2.5V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
2
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.75
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
1.9
Typische Sperrerholungszeit (ns)
7.4
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.2
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
12
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.94
Verpackungsbreite
1.3
Verpackungslänge
2.9
Leiterplatte geändert
3
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
SOT-23
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing
주문 수량