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MOSFET

FDC604P

Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R

onsemi
데이터시트 

제품 기술 사양
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    COMPONENTS
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single Quad Drain
  • Technologie de traitement
    0.18um to 2um
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    P
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    20
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±8
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    1.5
  • Courant de drain continu maximal (A)
    5.5
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    100
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    33@4.5V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    19@4.5V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    19
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    1926@10V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    1600
  • Temps de descente type (ns)
    45
  • Temps de montée type (ns)
    11
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    90
  • Délai type de mise en marche (ns)
    13
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.85
  • Largeur du paquet
    1.5
  • Longueur du paquet
    2.95
  • Carte électronique changée
    6
  • Nom de lemballage standard
    SOT
  • Conditionnement du fournisseur
    TSOT-23
  • Décompte de broches
    6
  • Forme de sonde
    Gull-wing
주문 수량

문서 및 자료

데이터시트
디자인 리소스