제품 기술 사양
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3.8
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
15
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
59@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
4.3@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
4.3
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
0.8
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
1.6
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
94
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
349@50V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
12.6@50V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
2.8
Typische Ausgangskapazität (pF)
69
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2800
Typische Abfallzeit (ns)
2
Typische Anstiegszeit (ns)
3
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
7
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
49@10V|58@6V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
37
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
55
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.85
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
4.9
Typische Sperrerholungszeit (ns)
32
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
3.2
Max. Gate-Widerstand (Ohm)
9.2
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
4.9
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.85(Max)
Verpackungsbreite
3
Verpackungslänge
3.15
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SON
Lieferantenverpackung
VSONP EP
Stiftanzahl
8
Leitungsform
No Lead